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名校大联考2024届·普通高中名校联考信息卷(压轴一)物理`试卷答案

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13.(10分)如图所示,一导热性能良好的气缸水平放置,固定在水平地面上,气缸由两个横截面不同的圆筒连接而成,左端封闭,右端开口,左边圆筒的长度为L,活塞A、B被长度为的轻质刚性细杆连在一起,活塞A和B分别封闭了a、b两部分气体,其中pa=2p0,活塞A恰好静止于两个圆筒的接口外,已知SA=S,活塞A的面积S=S,活塞B的面积活塞B的面积SB=3S,不考虑活塞的厚度,不计一切摩擦,外界大气压强为p。,外界温度恒定。p0,(1)求b部分气体的压强pb;

一、名校大联考2024届·普通高中名校联考信息卷(压轴一)物理`第一部分

22.(10分)在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是一部分离子注入工作原理示意图,离子经加速后沿水平方向进入速度选择器,选择出速度为v的离子,然后通过磁分析器I,选择出特定比荷的离子,经偏转系统Ⅱ后注入水平放置的硅片上。速度选择器、磁分析器中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B,方向均垂直纸面向外,速度选择器中的匀强电场方向竖直向上。磁分析器截面是矩形,矩形长为23L,,宽为2L。其宽和长中心位置C和D处径为3L的半圆形偏转系统Ⅱ内存在垂直纸面向外,磁感应强度大小可调的匀强磁场,O为半圆形偏转系统的圆心,D、O、N在一条竖直线上,FG为半圆形偏转系统的下边界,FG与硅片平行,O到硅片N的距离ON=3L,不计离子重力及离子间的相互作用,求(1)速度选择器中的匀强电场场强E的大小;(2)求磁分析器选择出来的离子的比荷qm;(3)若偏转系统磁感应强度大小的取值范围33BB甲233B,求硅片上离子注入的宽度。

二、名校大联考2024届·普通高中名校联考信息卷(压轴一)物理`第二部分（待更新）

(3)某次实验完成后根据实验数据画出分力与合力的示意图如图丙所示,如果没有操作失误,那么图丙中的F(只用一个弹簧测力计拉橡皮条至O点的力)的方向(填“一定”或“不一定”)沿AO方向。